在GJB8848標(biāo)準(zhǔn)中，針對(duì)電磁脈沖試驗(yàn)方法，標(biāo)準(zhǔn)給出了三種試驗(yàn)方法，包括：威脅級(jí)輻照試驗(yàn)方法，PCI注入試驗(yàn)方法，以及CW輻照試驗(yàn)方法。一般主要采用威脅級(jí)輻照試驗(yàn)方法（即EMP有界波或者水平極化試驗(yàn)），當(dāng)系統(tǒng)外部天線或者電纜無(wú)法進(jìn)行威脅級(jí)輻照試驗(yàn)時(shí)，則應(yīng)對(duì)外部天線或電纜進(jìn)行PCI注入試驗(yàn)。PCI注入試驗(yàn)容易產(chǎn)生更大的威脅級(jí)傳導(dǎo)電流。本電源設(shè)計(jì)目的為進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)電磁脈沖效應(yīng)外部電纜和天線等進(jìn)行大電流注入，滿(mǎn)足GJB8848所述的測(cè)試需求。

       干擾脈沖會(huì)引起存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失，傳輸數(shù)據(jù)出錯(cuò)，設(shè)備功能紊亂，誤觸發(fā)，設(shè)備工作性能降低、重新啟動(dòng)，以及暫時(shí)停止工作等問(wèn)題。能量太高時(shí)，產(chǎn)生功能損壞，破壞主要是針對(duì)半導(dǎo)體器件與集成電路芯片，包括部件或回路間的高壓電擊穿、半導(dǎo)體 PN 結(jié)或器件燒毀、氧化層介質(zhì)擊穿、集成電路燒毀，造成毀滅性的物理?yè)p傷，以避免其它電子設(shè)備遭受電磁脈沖擾動(dòng)或損環(huán)。

（1）3CEMP - PCI - 2 kA

       短路電流：20 A - 2000 A連續(xù)可調(diào)

       輸出電壓：140 kV

       脈沖源內(nèi)阻：≥ 60 Ω

       脈沖電流前沿時(shí)間：≤ 20 ns

       脈沖電流半寬時(shí)間：500 ns - 550 ns

（2）3CEMP - PCI - 5 kA：

       短路電流：100 A - 5000 A連續(xù)可調(diào)

       輸出電壓：300 kV

       脈沖源內(nèi)阻：≥ 60 Ω

       脈沖電流前沿時(shí)間：≤ 20 ns

       脈沖電流半寬時(shí)間：500 ns - 550 ns

（3）AD-EMP/PCI/20/550-80kV/1kA

       輸出電壓峰值：10kV - 80kV

       輸出電流峰值：0.1kA - 1kA

       源阻抗：≥60Ω

       前沿時(shí)間：≤20ns

       半寬值：500ns-550ns

       重復(fù)頻率：2分鐘

       絕緣方式：絕緣油